Samsung เริ่มต้นผลิตชิป DDR4 ขนาด 10 นาโน ! รองรับสตอเรจคุณภาพสูง

ซัมซุงได้ประกาศว่าพวกเขาได้เริ่มต้นการผลิตชิปสำหรับแรมในกลุ่ม 8Gb DDR4 DRAM ขนาดเล็กแค่ 10 นาโนเมตรแล้ว 

 

โดย ซัมซุงได้ระบุว่ามันเป็นเทคโนโลยีใหม่ที่สามารถทรานเฟอร์ข้อมูลได้ที่อัตรา 3,200 เมกะบิตต่อวินาที และมีความเร็วกว่ารุ่นเดิม 20nm 8Gb DDR4 DRAM ที่เป็นแบบ 20 นาโนเมตร ถึง 30% และยังใช้ไฟน้อยกว่ารุ่นเดิมถึง 10-20% ด้วย ซึ่งก่อนหน้านี้ซัมซุงก็ได้ประกาศว่าได้เริ่มการผลิตตัวแพ็กเกจในรุ่น HBM2 4GB DRAM และ หน่วยความจำฝังตัวขนาด 256GB ที่ใช้เบสออน UFS 2.0 ไปแล้วก่อนหน้า

สำหรับเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร ซัมซุงจะใช้เทคโนโลยีการออกแบบเซอร์กิตที่เป็นของซัมซุมเอง 

ที่มา : storagereviews.com

Share this Article:

ADVERTISMENT